Name: Vishay Siliconix SUM18N25-165-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SUM18N25-165-E3
Availability: InStock
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Vishay Siliconix SUM18N25-165-E3

Artikelnummer:

SUM18N25-165-E3

Hersteller / Marke:

Vishay / Siliconix

Teil der Beschreibung.:

MOSFET N-CH 250V 18A TO263

Datenblätte:

1.SUM18N25-165-E3.pdf ···: 2D -Zeichnungen
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Spezifikationen
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Versandinformationen
Verpackung

~~Vishay Siliconix SUM18N25-165-E3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SUM18N25-165-E3.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	TO-263 (D²Pak)
Serie	TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	165mOhm @ 14A, 10V
Verlustleistung (max)	3.75W (Ta), 150W (Tc)
Verpackung / Gehäuse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paket	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1950 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	45 nC @ 10 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	250 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	18A (Tc)
Grundproduktnummer	SUM18
SUM18N25-165-E3 Einzelheiten PDF [English]	SUM18N25-165-E3 PDF - EN.pdf

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- Originalrechnungsnummer
- Foto der Teile
- Kurzer Erläuterung oder Testbericht, in denen der Grund für die Rückkehr angegeben ist
Rückgaben werden nach 60 Tagen nicht akzeptiert.Zurückgegebene Elemente müssen in Originalverpackungen und einem realierbaren Zustand sein.Rückgaben aufgrund von Kundenfehlern zum Zeitpunkt des Angebots oder des Kaufs werden nicht akzeptiert.Wenden Sie sich vor dem Versand an den Kundendienst für die Rücksendung der Genehmigung.

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